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MOS管
產品簡介: 一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。G:gate 柵極;S:source 源極;D:drain 漏極。MOS管的source(源極)和drain(耗盡層)是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
場效應管分為PMOS管(P溝道型)和NMOS(N溝道型)管,屬于絕緣柵場效應管。

P/N

Configuration

Channel

Vds(V)

Vgs(V)

ID(A)

PD(W)

Rds@VGS
=±10V(mΩ)

Rds@VGS
=±4.5V(mΩ)

Rds@VGS
=±2.5V(mΩ)

VGS(th)(V)

Quantity

Package

ECAD2004T

SINGLE

N

20

±8

0.7

0.28

 

190

240

1

10000

DFN1006-3L

ECAD2005T

SINGLE

P

-20

±8

-0.5

0.3

 

465

610

-1

10000

DFN1006-3L

ECDA1012E

SINGLE

N

20

±10

0.5

0.32

 

170

240

1.1

3000

SOT-23

ECDA1013E

SINGLE

P

-20

±10

-0.5

0.32

 

560

830

-1.2

3000

SOT-23

ECDA3401

SINGLE

P

-30

±12

-4.4

1.2

 

55

68

-1.4

3000

SOT-23

ECDF2301

SINGLE

P

-20

±8

-2.0

0.25

 

89

108

-1

3000

SOT-323

ECDH1013E

SINGLE

P

-20

±6

-0.7

0.27

 

350

440

-1.2

3000

SOT-523

ECDK1012

SINGLE

N

20

±10

0.65

0.25

 

250

300

1

10000

SOT-723

ECG2300

SINGLE

N

30

±12

3.6

1.7

 

68

85

1.5

3000

SOT23-3L

ECG2301B

SINGLE

P

-20

±10

-1.5

0.7

 

140

190

-1

3000

SOT-23

ECG2302B

SINGLE

N

20

±12

3.3

0.9

 

45

60

1.2

3000

SOT-23

ECG2312A

SINGLE

N

20

±10

6.8

1.2

 

13.5

17

1

3000

SOT-23

EC4302

DUAL

N

30

±10

0.6

0.9

 

0.35

0.55

1

3000

DFN2*2-6L

EC4511

DUAL

P

-20

±8

-2.9

1.1

 

110

150

-0.9

3000

DFN2*2-6L

EC5312

DUAL

N

20

±12

0.5

2

 

0.3

0.6

1.2

3000

DFN3*2-8L

EC5314

DUAL

N

20

±12

0.5

2

 

0.3

0.6

1.2

3000

DFN3*2-8L

ECG5853

DUAL

P

-20

±8

-2.9

1.1

 

110

150

-0.9

3000

DFN3*2-8L

ECAL30N03A

SINGLE

N

30

±20

30

21

8

10

 

2.5

3000

DFN3.3*3.3-8L

ECAL42P03S

SINGLE

P

-30

±20

-42

37

14

22

 

-2.5

3000

DFN3*3-8L

ECAL50N03B

SINGLE

N

30

±20

50

30

4.9

 

 

2.2

3000/5000

DFN3.3*3.3-8L

ECAP52N03S

SINGLE

N

30

±20

52

27

5

 

 

2.5

3000

DFN5*6-8L

ECAP100N03S

SINGLE

N

30

±20

100

56.8

2

 

 

2

2500

DFN5*6-8L

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